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J-GLOBAL ID:200903045228579032

磁気抵抗効果型磁気ヘッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 晃 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994177059
Publication number (International publication number):1996045024
Application date: Jul. 28, 1994
Publication date: Feb. 16, 1996
Summary:
【要約】【目的】 Ib-optの安定化を図り、BERの安定したMRヘッドを提供する【構成】 MR素子4をABS面に対してその長手方向が垂直となるように配し、そのMR素子4を下部シールド磁性体7と上部シールド磁性体8で挟み込んだ,いわゆる縦型MRヘッドにおいて、各シールド磁性体7,8に対するMR素子4の透磁率の比を、各シールド磁性体7,8とMR素子4間に形成される再生用磁気ギャップのギャップ長L1 ,L2 に応じて定める。
Claim (excerpt):
磁気記録媒体との対向面に一側縁が臨むと共に、この媒体対向面に対してその長手方向が垂直となるように配される磁気抵抗効果素子と、上記媒体対向面に一側縁が臨み、磁気抵抗効果素子の先端側に積層される先端電極と、上記磁気抵抗効果素子の後端側に積層される後端電極と、上記磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を印加するバイアス導体と、これら先端電極と後端電極が積層された磁気抵抗効果素子及びバイアス導体を上下方向より挟み込む上部シールド磁性体と下部シールド磁性体とを備え、各シールド磁性体に対する磁気抵抗効果素子の透磁率の比が、媒体対向面における各シールド磁性体と磁気抵抗効果素子間の膜厚方向での対向距離であるギャップ長に応じて定められていることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

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