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J-GLOBAL ID:200903045233284440

含フッ素環状化合物、含フッ素高分子化合物、それを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西 義之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004044142
Publication number (International publication number):2005232095
Application date: Feb. 20, 2004
Publication date: Sep. 02, 2005
Summary:
【課題】 本発明は、新規な含フッ素環状化合物、含フッ素高分子化合物を提供し、紫外線領域から近赤外線領域に至るまでの幅広い波長領域で高い透明性を有し、かつ基板への高い密着性及び成膜性、高いエッチング耐性を併せ持ったレジスト材料、それを用いたパターン形成方法を提供することにある。また、半導体デバイス用パッケージ材料を提供することである。【解決手段】 下記の一般式(1)で表される含フッ素環状化合物。【化1】一般式(1)中、R1aは炭素数1〜25の環状のアルキル基、環状のアルケニル基、環状のアルキニル基である。R2、R3は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜25の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基である。R1a、R2、R3はフッ素原子、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素-炭素二重結合を含有する原子団を含んでもよい。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
下記の一般式(1)で表される含フッ素環状化合物。
IPC (11):
C07C49/573 ,  C07C33/05 ,  C07C49/323 ,  C07C49/345 ,  C07C69/003 ,  C07C69/653 ,  C08F16/26 ,  C08F20/22 ,  C08F32/04 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (11):
C07C49/573 ,  C07C33/05 D ,  C07C49/323 ,  C07C49/345 ,  C07C69/003 C ,  C07C69/653 ,  C08F16/26 ,  C08F20/22 ,  C08F32/04 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (45):
2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB46 ,  4H006BJ30 ,  4H006BM10 ,  4H006BM71 ,  4H006BN10 ,  4H006FC34 ,  4H006FE11 ,  4H006FE71 ,  4H006FE74 ,  4H006KC14 ,  4J100AE09P ,  4J100AE18P ,  4J100AJ03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL24Q ,  4J100AL26Q ,  4J100AR05P ,  4J100AR09P ,  4J100AR11P ,  4J100BA03P ,  4J100BA12P ,  4J100BB13P ,  4J100BC08P ,  4J100BC12P ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100JA37
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
Article cited by the Patent:
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