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J-GLOBAL ID：200903045234264108

半導体装置の製造方法及び薄膜トランジスタ

Inventor： 吉岡 達男 ,  川村 哲也 ,  古田 守 ,  宮田 豊
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 松田 正道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993208024
Publication number (International publication number)：1995066415
Application date： Aug. 23, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体薄膜(水素化アモルファスシリコン薄膜)を溶融結晶化して形成した多結晶シリコン薄膜を用いた薄膜トランジスタに関して、高い均一性と良好な特性を可能とする製造方法を提供することを目的とする。【構成】透光性基板1に、膜厚が500Åより厚くかつ1500Åより薄い水素化アモルファスシリコン半導体層3を所定の形状に形成し、レーザー光を照射し溶融結晶化により多結晶シリコン半導体層4とする。次にゲート絶縁膜6、ゲート電極7を形成し不純物8を注入した後、層間絶縁膜11を堆積する。その後電極取り出し用の穴を形成し、水素プラズマ処理を行い、ソース・ドレイン電極を形成する。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に、膜厚が500Åより厚く1500Åより薄い半導体薄膜を所定の形状に形成する第1の工程と、前記半導体薄膜にレーザー光を照射する第2の工程と、前記透光性基板上と半導体薄膜に絶縁性薄膜aを堆積する第3の工程と、前記絶縁性薄膜a上に電極aを所定の形状に形成する第4の工程と、前記絶縁性薄膜a越しに前記半導体薄膜中へ不純物を注入する第5の工程と、そのようにして出来た前記基板上に絶縁性薄膜bを堆積する第6の工程と、前記絶縁性薄膜a、bの所定の位置に穴を形成する第7の工程と、前記絶縁性薄膜b上に所定の形状に電極bを形成する第8の工程とを少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 21/265 H