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J-GLOBAL ID：200903045239420744

シリコンウェーハの製造方法

Inventor： 森田 悦郎 ,  降屋 久 ,  松尾 悟 ,  新行内 隆之 ,  松原 順一 ,  島貫 康
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社
Agent (1)： 桑井 清一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992181715
Publication number (International publication number)：1993345699
Application date： Jun. 16, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 酸化膜の絶縁破壊などの電気的特性の向上したシリコンウェーハの製造方法を提供する。【構成】 CZ法によるシリコンウェーハを1300°Cで30分間熱処理する。この後、このシリコンウェーハを4°C/分の速度で冷却する。このシリコンウェーハにMOSキャパシタを形成する。このMOSキャパシタの酸化膜絶縁破壊耐圧の特性を測定する。この測定結果、酸化膜の絶縁破壊耐圧が向上している。

Claim (excerpt)：

CZ法により引き上げられたシリコン単結晶から作製されたシリコンウェーハを1250°C以上で30分間以上熱処理する工程と、この後、このシリコンウェーハを4°C/分以上の速度で冷却する工程と、を有することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-242500
  
• 特開平3-077330
  
• 特開平3-080200