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J-GLOBAL ID：200903045250111583

プラズマ処理装置

Inventor： 野上 裕 ,  池田 圭
Applicant, Patent owner： アネルバ株式会社
Agent (1)： 鈴木 利之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995101632
Publication number (International publication number)：1996279493
Application date： Apr. 04, 1995
Publication date： Oct. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 1対のアンテナ体の誘起する磁場が互いに逆向きになるようにアンテナ体を配置することによって、誘導結合性の放電成分と容量結合性の放電成分との割合を適切にする。【構成】 石英製のプラズマ発生室40の周囲には2個のアンテナ体50、52が配置され、これらのアンテナ体には互いに逆向きの電流が流れる。これらのアンテナ体の発生する誘起磁場は互いに弱め合うので、誘導結合性の放電成分が減少する。その度合は、アンテナ体50、52の間の距離を変化させることで調整できる。アンテナ体50、52の帯板54、55はプラズマ発生室40に対面しているので、面状のアンテナ面となり、プラズマ発生室40の内壁面近傍に形成されるシースの面積が大きくなる。これにより、容量結合性の放電成分が増加する。シースの面積は、帯板54、55の幅Wに依存する。

Claim (excerpt)：

誘電体で形成されたプラズマ発生室の周囲にアンテナ装置を配置して、このアンテナ装置に電流を流すことによりプラズマ発生室の内部にプラズマを発生させて被処理体を処理するプラズマ処理装置において、前記アンテナ装置は1対のアンテナ体を備え、一方のアンテナ体の誘起する磁場が、プラズマ発生室の内部において、他方のアンテナ体の誘起する磁場と逆方向になるように、これらのアンテナ体が電源装置に接続されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A