半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002040554
Publication number (International publication number)：2003243393
Application date： Feb. 18, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】銅の拡散が確実に防止された半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、銅を含む金属配線上に当該金属配線表面をパラジウムで置換して形成された銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、銅を含む金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記銅を含む金属配線表面をパラジウムで置換して上記金属配線上に銅拡散防止機能を有するキャップ膜を形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

銅を含む金属配線上に、当該金属配線表面をパラジウムで置換して形成された銅拡散防止機能を有するキャップ膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/3205 , H01L 21/28 301 , H01L 21/288 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/28 301 Z , H01L 21/288 Z , H01L 21/88 M , H01L 21/88 R , H01L 21/90 B

F-Term (90)：

4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD07 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104DD22 , 4M104DD23 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104EE08 , 4M104EE12 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 4M104HH12 , 4M104HH14 , 4M104HH15 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033QQ98 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW02 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX07 , 5F033XX18 , 5F033XX28

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