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J-GLOBAL ID：200903045267179939

疎水性シリカの製造方法

Inventor： 中村 正博 ,  小松原 胆治 ,  河野 博之
Applicant, Patent owner： 株式会社トクヤマ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995065967
Publication number (International publication number)：1996259216
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】表面に十分な量の疎水基を有し、しかもOH基の量は少なく、高い疎水性のシリカを得る。【構成】単位表面積当たりの表面OH基の数が1.5個/nm2以下であるシリカを水蒸気と塩基性ガス、例えば、アンモニアガスの存在下にヘキサメチルジシラザンと接触させる。

Claim (excerpt)：

単位表面積当たりの表面のOH基の数が1.5個/nm2以下であるシリカを水蒸気および塩基性ガスの存在下にヘキサメチルジシラザンと接触させることを特徴とする疎水性シリカの製造方法。