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J-GLOBAL ID：200903045268710700

ドライエッチング装置及びドライエッチング方法

Inventor： 堀池 ▲靖▼浩 ,  塚田 勉
Applicant, Patent owner： 堀池 靖浩 ,  アネルバ株式会社
Agent (1)： 保立 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995135974
Publication number (International publication number)：1996302488
Application date： May. 08, 1995
Publication date： Nov. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高アスペクト比の溝の底部においても高い選択性が得られるエッチング条件を設定することを可能にする。【構成】 真空に排気できる反応容器内1に、水素ガスを添加したフッ化炭素系のガスを導入し、このガスによってプラズマを発生させてシリコンの酸化膜をエッチングする。プラズマ中で生成される一フッ化炭素ラジカルと二フッ化炭素ラジカルとの数密度の比は、イオン化エネルギー調整機構を備えた四重極質量分析計51からなる測定手段5によって測定され、二フッ化炭素ラジカル数密度に対する一フッ化炭素ラジカル数密度の比を最大にした状態でエッチングを行う。

Claim (excerpt)：

真空に排気できる反応容器内に、フッ化炭素系のガスを導入し、このガスによってプラズマを発生させてシリコンの酸化膜をエッチングするドライエッチング装置において、プラズマ中で生成される一フッ化炭素ラジカルと二フッ化炭素ラジカルとの数密度の比を測定する測定手段を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (4)：

C23F 4/00 ,  C30B 33/12 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

C23F 4/00 E ,  C30B 33/12 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 E