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J-GLOBAL ID：200903045270882772

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： 花崎 稔 ,  生島 貴之 ,  白川 憲次 ,  山口 伸二 ,  滝 正和
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999114885
Publication number (International publication number)：2000306884
Application date： Apr. 22, 1999
Publication date： Nov. 02, 2000
Summary：

【要約】【課題】 大口径ウェハを均一に処理できるとともに、微細なエッチングパターンに対してRIEラグを低減できるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 真空容器である処理室10と、当該処理室10の周囲に配設され、回転磁場を発生させる磁場生成コイル80と、処理室10に種々のガスを供給するガス供給手段101を主たる構成として備え、処理室10は、隔壁板43によりプラズマが生成される反応室44と、外部から供給されるガスを圧力差をつけて放出するバッファ室45とに分けられ、反応室44にはバッファ室45に対向して配設された高周波電極20を備えている。ガス供給手段101は、パルスガスバルブ63aおよび63bを備え、処理室10にパルス的にガスを供給する。

Claim (excerpt)：

プラズマを生成するとともに試料が収容され、該試料に前記プラズマによる処理を施す反応室と、前記反応室に対して隔壁板を介して分離されたバッファ室と、前記バッファ室に所定のガスを供給するガス供給系とを備え、前記ガス供給系は、前記所定のガスの供給および供給停止をパルス的に制御するパルスガスバルブを有し、前記隔壁板は、前記所定のガスを通過させる複数のガス吹き出し孔を有し、前記パルスガスバルブの動作により、前記複数のガス吹き出し孔を通して前記バッファ室から前記反応室に前記所定のガスをパルス的に供給して前記反応室で前記プラズマを生成し、前記試料を処理するプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205

F-Term (26)：

5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB26 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16