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J-GLOBAL ID：200903045276324127

半導体レーザ素子

Inventor： 中塚 慎一 ,  辻 伸二 ,  佐川 みすず ,  平本 清久 ,  土屋 朋信
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993019888
Publication number (International publication number)：1994232500
Application date： Feb. 08, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：

【要約】【目的】 光出力と独立に焦点位置が制御可能な半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体レーザのストライプ構造をMOCVD法による選択成長により光導波路及び電流狭搾を行う構造とし、光導波路の形成後選択成長マスクをサイドエッチングにより細くする。この構造の端面領域のみ素子全体とは独立に電流注入量を変調できるように電極を形成する。【効果】 端面領域の電流注入量を変化することにより、レーザの波面を曲げ電流によりレーザビームの焦点位置を制御できる。

Claim (excerpt)：

導電型の異なる2層の半導体層よりなるクラッド層とこれに挟まれた該2層の半導体層よりも狭い禁制帯幅を有する単一又は複数の半導体層からなる活性層を少なくとも有し通電により光利得を発生する機能を持つ構造と、これらの層に平行な空間内において光を閉じ込めるためのストライプ状の導波構造および該構造に光を反射する少なくとも1対の反射面を少なくとも有し、該反射面の近傍を除く素子全域に渡り該導波構造の近傍の一定の幅の成長領域を除き結晶の析出を妨げる絶縁物の膜を有することを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 胴体管継溶接変形防止装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-228435   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平2-284794