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J-GLOBAL ID：200903045277850701

酸化物超伝導装置の作製方法

Inventor： 大谷 久
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991176023
Publication number (International publication number)：1994069559
Application date： Jun. 20, 1991
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高歩留りで高生産性を有する酸化物超伝導装置の作成方法を確立する。【構成】 酸素イオン導電性を有する基板上に酸化物超伝導材料よりなる薄膜を成膜し、STMの探針と基板間に電流を印加し、酸素量を変化させることによって、前記薄膜をパターニングする。

Claim (excerpt)：

酸素イオン導電性を有する基板上、または前記酸素イオン導電性を有する基板上に酸素透過性を有しつつ超伝導材料と格子定数の適合性の良い中間層を設けた複合基体上、または酸素透過性を有しつつ超伝導材料と格子定数の適合性の良い基板の裏面に酸素イオン導電性を有する材料からなる薄膜を形成した複合基体上に、酸化物超伝導材料よりなり超伝導性を有する薄膜をc軸が基板または基体に対して概略垂直になるようにエピタキシャルに設ける工程と、前記薄膜の上方極近傍に探針を配置し、該探針と前記酸素イオン導電性を有する基板間に電流を印加することにより前記超伝導薄膜中に含まれる酸素の一部または全部を酸素イオンとして外部に放出せしめる、または超伝導性が保持出来ない程度に過剰に吸収せしめることにより、前記超伝導薄膜の内、前記探針の極近傍に位置する部分のみを選択的に非超伝導化する工程とを有することを特徴とする酸化物超伝導装置の作製方法。