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J-GLOBAL ID：200903045280907110

プラズマCVD装置

Inventor： 上西園 孝博
Applicant, Patent owner： 九州日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995032160
Publication number (International publication number)：1996227880
Application date： Feb. 21, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】膜厚及び膜質の均一な膜を形成できるプラズマCVD装置を提供する。【構成】上部電極を同心円状に3分割し第1〜第3の上部電極4A〜4Cとし、これらの上部電極にガス導入管6A〜6Cと電源7A〜7Cを接続し、更に下部電極を同心円状に3分割し第1〜第3の下部電極2A〜2Cとし、この下部電極2A〜2Cにヒータ11を内蔵させる。

Claim (excerpt)：

複数のガス吹出し口を有する円板状の第1の上部電極と、この第1の上部電極の周囲に同心円状設けられ複数のガス吹出し口を有する少くとも1個のリング状の第2の上部電極と、前記上部電極のそれぞれに接続されたガス導入管及び電源と、前記上部電極に対向して設けられヒータを内蔵する円板状の第1の下部電極と、この第1の下部電極の周囲に同心円状に設けられたヒータを内蔵する少くとも1個のリング状の下部電極とを含むことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285

FI (4)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C