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J-GLOBAL ID：200903045281623957

パワー半導体装置

Inventor： 澤谷 賢二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 児玉 俊英 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001033121
Publication number (International publication number)：2002237556
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 部材間の線膨張率の差による熱応力、熱歪みを低減すると共に、パワー半導体素子の発熱を良好な熱伝導により安定して効率的に放熱できる信頼性の高いパワー半導体装置を得る。【解決手段】 パワー半導体素子10を搭載した線膨張率の低い絶縁基板11の下面と、放熱板となる線膨張率の高い金属ベース板15とを、内部に柱状の熱伝導体24を挿入した貫通孔23を有する熱伝導性ポーラス金属板22を介在して接合し、柱状熱伝導体24と貫通孔23側壁とを微細な空隙23aで離間させた状態とすることで、熱伝導性能を確保しつつ熱応力緩和効果を得る。

Claim (excerpt)：

パワー半導体素子を搭載した絶縁基板の下面と熱伝導性金属放熱板とを、孔の面内占有率が30〜80%である熱伝導性ポーラス金属板を介在して接合したことを特徴とするパワー半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/36 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 23/36 C ,  H01L 25/04 C

F-Term (3)：

5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB21