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J-GLOBAL ID：200903045288135290

光半導体装置

Inventor： 羽賀 孝裕 ,  海道 佳典
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994118463
Publication number (International publication number)：1995326787
Application date： May. 31, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】 出力端子領域の厚さが小さい光半導体装置を提供すること。【構成】 絶縁表面を有する基板10上に、第1電極層、半導体光活性層及び第2電極層を積層した光半導体装置であって、前記第1、第2電極層と各々電気的に接続された出力端子領域は、一方の前記電極層より延出する第1電極延出部30at、第2電極延出部70ct上に、半田めっきした金属箔140a、140cを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に、第1電極層、半導体光活性層及び第2電極層を積層した光半導体装置であって、一方の前記電極層より延出する延出部上に、半田めっきした金属箔を有する出力端子領域を備えることを特徴とする光半導体装置。

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-163671
  
• 特開昭61-163671