Pat
J-GLOBAL ID:200903045289081614
有機半導体素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
藤村 元彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002208210
Publication number (International publication number):2004055652
Application date: Jul. 17, 2002
Publication date: Feb. 19, 2004
Summary:
【課題】電極の付着性、エッチング性、低抵抗性が向上した有機半導体素子を提供する。【解決手段】有機半導体素子は、対向する1対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、1対の電極の少なくとも一方は、有機半導体層に接触しかつ有機半導体層のイオン化ポテンシャル近傍の仕事関数を有するキャリア中継膜と、キャリア中継膜に積層されかつキャリア中継膜よりも低い抵抗率を有する伝導体膜と、を含む。【選択図】 図3
Claim (excerpt):
対向する1対の電極の間に成膜されたキャリア移動性の有機半導体層を備えた有機半導体素子であって、前記1対の電極の少なくとも一方は、前記有機半導体層に接触しかつ前記有機半導体層のイオン化ポテンシャル近傍の仕事関数を有するキャリア中継膜と、前記キャリア中継膜に積層されかつ前記キャリア中継膜よりも低い抵抗率を有する伝導体膜と、を含むことを特徴とする有機半導体素子。
IPC (2):
FI (8):
H01L29/78 618B
, H01L29/78 616U
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 616T
, H01L29/78 617K
, H01L29/78 622
, H01L29/78 626A
, H01L29/28
F-Term (28):
5F110AA03
, 5F110AA30
, 5F110CC03
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110CC09
, 5F110CC10
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF28
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110HM12
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