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J-GLOBAL ID：200903045290096056

プラズマ化学蒸着によるオーミック層形成方法

Inventor： 李 明 範 ,  文 光 辰 ,  李 鉉 ▲徳▼
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000252245
Publication number (International publication number)：2001102327
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 オーミック層としてチタンシリサイドを形成する時、抵抗率特性、および半導体基板表面に損傷が生じる問題点を改善することができるプラズマ化学蒸着(PCVD)によるオーミック層形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第1工程と、前記プラズマチャンバーにTiを含んだソースガスを注入する第2工程と、前記プラズマチャンバーにRFプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第3工程とを備えることを特徴とするPCVDによるオーミック層形成方法。

Claim (excerpt)：

半導体基板を化学蒸着装置のプラズマチャンバーに入れて水素およびアルゴンガスを注入する第1工程と、前記プラズマチャンバーにTiを含んだソースガスを注入する第2工程と、前記プラズマチャンバーにRFプラズマを形成してチタン膜を蒸着する第3工程とを含むことを特徴とするPCVDによるオーミック層形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/285 301 S ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 C ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C