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J-GLOBAL ID：200903045292056914

SiC半導体装置

Inventor： ジャナルドハナン・エス・アジット
Applicant, Patent owner： インターナショナル・レクチファイヤー・コーポレーション
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996268602
Publication number (International publication number)：1997172159
Application date： Oct. 09, 1996
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置、特にパワーデバイスのオン抵抗を低減する。【解決手段】 Siから形成された結晶成長層を有する半導体デバイス構造が、SiCのようなバンドギャップの広い材料上に配置され、次にそれがSiのような半導体基板上に配置される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、上記半導体基板上に配置されたドリフト領域を形成するバンドギャップの広い材料と、上記バンドギャップの広い材料上に配置された半導体材料の結晶成長層とを含む半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/16 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (6)：

H01L 29/16 ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/91 H ,  H01L 29/91 D