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J-GLOBAL ID：200903045312232439

半導体装置の製造方法

Inventor： 関 哲也
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992266270
Publication number (International publication number)：1994120174
Application date： Oct. 05, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】半導体装置の製造方法において、多結晶シリコン、ポリサイドのエッチング時の形成される側壁保護膜を再現性よく除去する。【構成】CF系、CHF系ガスのイオンを基板1に対し斜めに入射する事で、側壁に対するイオンエネルギーを発生させることにより側壁保護膜5の除去を行なう。さらに多結晶シリコン3、ポリサイドのオーバーエッチング時にもイオンの斜め入射を行なう。【効果】従来のウェット処理に比べ、除去の安定性、下地酸化膜との選択比が向上し、薄膜化が進むゲート酸化膜上のゲート電極の微細加工が可能となる。

Claim (excerpt)：

酸化膜上に形成した多結晶シリコンあるいはポリサイドの異方性エッチング方法において、少なくともハロゲン元素を含むガスを主ガスとするプラズマにより該多結晶シリコンあるいはポリサイドのエッチングを行ないシリコン基板に対し垂直あるいは垂直に近い断面形状を得る工程と、CxFyを含むガスのプラズマを該半導体基板に対し斜め方向より入射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。