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J-GLOBAL ID：200903045326081808

エッチング液管理方法及びウェットエッチング装置

Inventor：
清水 裕司

About 清水 裕司


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000076849
Publication number (International publication number)：2001267286
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：
【要約】【課題】 BHF中のHF及びNH4F濃度を常に一定とするエッチング液管理方法を提供する。【解決手段】 BHF中にNH3ガスを強制的に溶解させて、これとHFを反応させることにより、BHF中のNH4Fの解離反応によるHF濃度の上昇を抑え、BHF中のHF及びNH4F濃度を常に一定とする。
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハ上に形成されたシリコン酸化膜をエッチング液を用いて処理するウェットエッチング方法において、前記エッチング液としてバッファードフッ酸(Buffered Hydrogen Fluoride)を用い、前記エッチング液中のHF,NH4Fの濃度を測定し、その測定に基いて前記エッチング液にNH3ガスを溶解させ、前記エッチング液中に含まれるHF,NH4Fの濃度変動を抑制することを特徴とするエッチング液管理方法。
IPC (2)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/304 648
FI (2)：
H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/306 D
F-Term (11)：
5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043EE23 ,  5F043EE24 ,  5F043EE25 ,  5F043EE28 ,  5F043EE29 ,  5F043EE30 ,  5F043EE33 ,  5F043EE40 ,  5F043GG10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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