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J-GLOBAL ID：200903045333438410

非線形素子基板の製造方法

Inventor： 大植 誠 ,  島田 伸二
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993214499
Publication number (International publication number)：1995064107
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 配線パターンの断線やヒステリシスの低減に伴う残留分極値の低下を防止する。【構成】 高分子強誘電体上に電極材料を積層したのち、焼成温度が高分子強誘電体材料のキュリー点以上融点以下で焼成するプロセスを有するので、電極の有機膜に対する密着性が向上して電極はがれがなくなり、従来のエッチング時の配線パターンの断線やヒステリシスの低減に伴う残留分極値の低下は防止される。

Claim (excerpt)：

非線形素子として高分子強誘電体材料を用いた高分子強誘電体上に電極を設けた非線形素子基板の製造方法において、該高分子強誘電体上に電極材料を積層したのち焼成するプロセスを有する非線形素子基板の製造方法。

IPC (5)：

G02F 1/135 ,  G09F 9/35 ,  H01L 29/40 ,  H01L 49/02 ,  H01R 43/00