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J-GLOBAL ID：200903045341697149

メソ構造シリカ薄膜の製造法

Inventor： 岡部 晃博 ,  仁木 真紀子 ,  福島 孝典 ,  有賀 克彦 ,  相田 卓三
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 筒井 知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003344102
Publication number (International publication number)：2005104808
Application date： Oct. 02, 2003
Publication date： Apr. 21, 2005
Summary：

【課題】 メソ構造シリカ薄膜を調製するに際して、簡便な手段でメソ構造の規則性を向上させる技術を提供する。【解決手段】 鋳型分子、シリカ源、ゾルゲル反応触媒、水および必要に応じて有機溶媒から構成される反応溶液を調製してゾルゲル反応を行い、ゾルゲル反応が進行中の溶媒を基板に塗布し、乾燥の進行を抑制しつつ塗布膜を乾燥させる。好ましくは、密閉空間で塗布膜を乾燥することにより乾燥の進行を抑制しながら塗布膜を乾燥させる。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

鋳型分子、シリカ源、ゾルゲル反応触媒、水および必要に応じて有機溶媒から構成される反応溶液を調製してゾルゲル反応を行い、ゾルゲル反応が進行中の溶液を基板に塗布し、乾燥の進行を抑制しつつ塗布膜を乾燥させることを特徴とする、メソ構造シリカ薄膜の製造方法。

IPC (1)：

C01B37/02

FI (1)：

C01B37/02

F-Term (25)：

4G073BA63 ,  4G073BA84 ,  4G073BB44 ,  4G073BB48 ,  4G073BB58 ,  4G073BB66 ,  4G073BB69 ,  4G073BB70 ,  4G073BD06 ,  4G073BD07 ,  4G073BD11 ,  4G073BD18 ,  4G073CZ53 ,  4G073CZ54 ,  4G073FB01 ,  4G073FB42 ,  4G073FC06 ,  4G073FC11 ,  4G073FC13 ,  4G073FC18 ,  4G073FD14 ,  4G073FD15 ,  4G073FD21 ,  4G073UA02 ,  4G073UA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第5098684号公報。