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J-GLOBAL ID：200903045359500911

複合発光素子

Inventor： 小屋 賢一 ,  井上 登美男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000027451
Publication number (International publication number)：2001217461
Application date： Feb. 04, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Agを反射層としたフリップチップ型の半導体発光素子とサブマウント素子とによる高輝度、高信頼性色変換複合発光素子の提供。【解決手段】 サブマウント素子6とその上に導通搭載した発光素子1とからなり、p側の電極3をp側半導体積層膜にオーミック接続可能な金属材料によるコンタクト層3aとするとともにその表面に光を主光取出し面側に反射させるAgの反射層3bを備え、発光素子1の周りを、シリコン及び発光素子1の光の波長変換のための蛍光物質を少なくとも含有した樹脂パッケージ7で封止する。

Claim (excerpt)：

透明の結晶基板の上にn型層及びp型層を成長させた半導体積層構造を持ち、結晶基板と反対側の面上にn型層及びp型層とそれぞれオーミック接続するn電極及びp電極を備え、該p電極がp型半導体積層膜にオーミック接続可能な金属材料によるコンタクト層と、その上に反射率の高いAgによる反射層と、その上にNiの保護膜とからなるフリップチップ型半導体発光素子と、前記フリップチップ型半導体発光素子のp及びn電極に対応する位置に2つの電極が形成された第1の主面と全面電極が形成された第2の主面を持つサブマウント素子からなり前記サブマウント素子の第1の主面の2つの電極上にマイクロバンプを介して前記フリップチップ型半導体発光素子のp及びn電極を対峙させて導通搭載した複合発光素子において、前記発光素子の周りを、シリコン及び前記発光素子の光の波長変換のための蛍光物質を少なくとも含有した樹脂で封止したことを特徴とする複合発光素子。

FI (3)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N

F-Term (17)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA44 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA82 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA45 ,  5F041EE23 ,  5F041EE25