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J-GLOBAL ID：200903045377998560

熱電半導体素子とその製造方法

Inventor： 横谷 洋一郎 ,  釘宮 公一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991288330
Publication number (International publication number)：1993129667
Application date： Nov. 05, 1991
Publication date： May. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】熱電半導体素子において、特に特性が安定に得られる素子形態とその製造方法を提供する。【構成】Sr対Ti比0.98の複合酸化物粉体と、金属Ti、金属Zr、金属Taまたは金属Nb粉末を加え、撹拌擂潰機で充分混合した後、1500°Cで2時間アルゴンガス中で焼成した。焼結体はSrとTiとを主成分とする酸化物セラミック半導体であり、この中に互いに連続しない金属相が点在した構成であった。また、焼結体のセ ゙ーヘ ゙ック係数、電気伝導度及び熱伝導度から性能指数を求めた。性能指数は0.54〜0.84の高い値が得られた。【効果】安価で特性の優れた熱電半導体素子が得られる。また本発明の製造方法をとることにより、素子製造方法が容易になり安価で性能が安定した熱電半導体素子が得られる。

Claim (excerpt)：

ストロンチウムとチタンとを主成分とした複合酸化物からなり、前記複合酸化物中に互いに連続しない還元性物質相が点在した酸化物セラミック半導体を用いることを特徴とする熱電半導体素子。

IPC (2)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/26