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J-GLOBAL ID：200903045410120207
高密度多層配線基板のコーティング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅野 中
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991353634
Publication number (International publication number)：1993167230
Application date： Dec. 18, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高密度多層配線基板に絶縁ワニスをコーティングする場合に、絶縁ワニスが微細な金属配線パターン間に沿って廻り込むようにする。【構成】 配線パターン2を形成した基板1に低粘度の絶縁ワニス4をスピンコート法により塗布し、真空乾燥させる。更にその上に高粘度の絶縁ワニス5をスピンコート法にて塗布し、乾燥させる。これにより、塗れ不良による絶縁ふくれや絶縁割れを防止し、塗れ性の良い厚膜の絶縁層を形成することが可能である。
Claim (excerpt)：
微細な金属配線パターンを有する基板上に絶縁ワニスをコーティングする方法において、前記基板上の前記金属パターンの全面を覆うように低粘度の絶縁ワニスを塗布する工程と、前記低粘度の絶縁ワニスを塗布した基板を真空乾燥させる工程と、真空乾燥した基板の低粘度絶縁ワニス上に高粘度の絶縁ワニスを重ねて塗布する工程とを含むことを特徴とする高密度多層配線基板のコーティング方法。
IPC (2)：
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