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J-GLOBAL ID：200903045418474032

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 安藤 昇 ,  松井 弘之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992139317
Publication number (International publication number)：1993335310
Application date： May. 29, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体チップ表面にバンプを有する半導体装置の製造方法に関し、安定したバンプのボンディングを可能にするとともに、ボンディングダメージを少なくすることを目的とする。【構成】半導体回路に接続しない第1のバンプ3を半導体チップ1の角部近傍に形成し、半導体回路に繋がる第2のバンプ2を該角部の間に複数形成する工程と、前記第1のバンプ3と第2のバンプ2の上にリード4,5を載置する工程と、ボンディングツール6の平坦面によって、前記リード4,5を前記第1及び第2のバンプ2,3に押圧する工程とを有することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

半導体回路が形成された半導体チップ(1)の上の角部近傍に、該半導体回路に繋がらない第1のバンプ(3)が設けられるとともに、前記半導体回路に繋がる第2のバンプ(2)が前記角部の間に複数形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭58-053837
  
• 特開平3-257941
  
• 特開昭63-034940
  
• 特開平4-123447