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J-GLOBAL ID：200903045418967446

音響信号または熱信号と電圧変化とを互いに変換するための層配列を備えた半導体素子、および、その製造方法

Inventor： アイグナー,ローベルト ,  エルブレヒト,リューダー ,  ヘアツォーク,トーマス レイナー ,  マークシュタイナー,シュテファン ,  ネスラー,ヴィンフリート
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
Agent (3)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002514747
Publication number (International publication number)：2004505441
Application date： Jul. 03, 2001
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：

層配列には、下部電極(U)と、上部電極(O)と、その間に配された圧電層または焦電層(S)とが備えられている。この層(S)と下部電極(U)との間には、製造工程における圧電層または焦電層(S)の均質的な方向の成長に用いられる補助層(H)が配置されている。補助層(H)は、主として、非晶質シリコン、非晶質シリコン酸化物または非晶質シリコン窒化物を含んでいることが好ましい。

Claim (excerpt)：

音響信号または熱信号と電圧変化とを互いに変換するための層配列を備え、 上記層配列は、下部電極(U)と、上部電極(O)と、その間に配置された層(S)とを有するとともに、上記層(S)は、圧電体または焦電体である、半導体素子であって、 上記下部電極(U)と上記層(S)との間に、製造過程における層(S)の均質的な方向の成長に用いられる、補助層(H)が配置されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (6)：

H01L41/08 ,  H01L21/28 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H03H3/02 ,  H03H9/17

FI (7)：

H01L41/08 D ,  H01L21/28 301R ,  H03H3/02 B ,  H03H9/17 Z ,  H01L41/08 L ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C

F-Term (13)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104DD22 ,  4M104DD43 ,  4M104DD75 ,  4M104GG20 ,  5J108BB08 ,  5J108FF03 ,  5J108KK01 ,  5J108KK02