Pat

J-GLOBAL ID：200903045432914703

半導体デバイスの製造方法

Inventor： ロベルタス アドリアヌス マリア ウォルターズ
Applicant, Patent owner： エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992246477
Publication number (International publication number)：1993211133
Application date： Sep. 16, 1992
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 アルミニウムを有し、良好なステップカバレージを示す、平滑で平坦な層を蒸着させる。【構成】 アルミニウムを有する層をスパッター蒸着処理により、反応室(20)中のホルダー(21)上に載置した半導体本体(2)の表面に蒸着させることにより半導体デバイスを製造する方法。この半導体本体(2)を蒸着処理中に150Kより低い温度に冷却する。

Claim (excerpt)：

アルミニウムを有する層を、反応室中のホルダー上に配置した半導体本体の表面にスパッター堆積処理により堆積させる半導体デバイスの製造方法において、半導体本体を堆積処理中に150Kよりも低い温度に冷却することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/14 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-156920
  
• 特開昭61-087868
  
• 特開平3-129727
  
• 特開平2-219224