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J-GLOBAL ID：200903045442906954

半導体微小流体制御素子及びそれを用いた半導体微小流体制御回路

Inventor： 高尾 英邦 ,  石田 誠
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000383159
Publication number (International publication number)：2002182749
Application date： Dec. 18, 2000
Publication date： Jun. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 流路中の圧力によって直接流量を制御するにあたり、その構成要素として必要となる流体制御素子と、それを用いた、流体回路網の大規模化に対し、制御回路系の複雑化を大幅に抑えた半導体微小流体制御素子及びそれを用いた半導体微小流体制御回路を提供する。【解決手段】 下面基体1と、上面基体2と、前記下面基体1と上面基体間2に配置される半導体基板3とを備え、前記半導体基板3にダイヤフラム4と、このダイヤフラム4の裏面に通じるゲート圧力流路5とを形成し、前記上面基体2にソースに通じる流路7と、前記ダイヤフラムに面する流体通路を遮る形で形成された平滑な障壁6と、ドレインに通じる流路8とを形成することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(a)印加された圧力によって変形、変位するダイヤフラムと、(b)該ダイヤフラムに面する流体通路を遮る形で形成された平滑な障壁と、(c)前記流体通路側の面から前記ダイヤフラムの裏側の面へ圧力を伝える圧力通路とを備え、(d)該圧力通路を通って伝えられる前記流体通路内の圧力によって前記障壁と前記ダイヤフラムの間隔を制御し、流体の流量を可変とすることを特徴とする半導体微小流体制御素子。

IPC (6)：

G05D 7/06 ,  F16K 7/17 ,  F16K 31/02 ,  G01N 35/08 ,  G01N 37/00 102 ,  G05D 7/01

FI (6)：

G05D 7/06 Z ,  F16K 7/17 Z ,  F16K 31/02 Z ,  G01N 35/08 A ,  G01N 37/00 102 ,  G05D 7/01 Z

F-Term (25)：

2G058AA09 ,  2G058DA07 ,  3H062AA02 ,  3H062AA15 ,  3H062BB10 ,  3H062BB16 ,  3H062BB30 ,  3H062CC15 ,  3H062DD01 ,  3H062EE06 ,  3H062EE10 ,  5H307AA15 ,  5H307AA20 ,  5H307BB01 ,  5H307BB05 ,  5H307CC01 ,  5H307DD11 ,  5H307EE02 ,  5H307EE04 ,  5H307EE08 ,  5H307EE19 ,  5H307ES02 ,  5H307GG20 ,  5H307HH01 ,  5H307HH04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-002977
  
• マイクロバルブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-037793   Applicant：横河電機株式会社