半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995341646
Publication number (International publication number)：1997186146
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】微細な多層配線な対応できる層間絶縁膜の構造とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して複数の配線が配設され、アルコキシシランを反応ガスとする多周波プラズマCVD法により形成された第1のシリコン酸化膜が前記配線および前記絶縁膜の表面に形成され、アルコキシシランとオゾンとを反応ガスとする常圧CVD法により形成された第2のシリコン酸化膜が前記第1のシリコン酸化膜を被覆し前記配線間を埋設するようにして形成される。

Claim (excerpt)：

半導体素子を有する半導体基板上に絶縁膜を介して複数の配線が配設され、アルコキシシランを反応ガスする多周波プラズマCVD法により形成された第1のシリコン酸化膜が前記配線および前記絶縁膜の表面に形成され、アルコキシシランとオゾンとを反応ガスとする常圧CVD法により形成された第2のシリコン酸化膜が前記第1のシリコン酸化膜を被覆し前記配線間を埋設するようにして形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/31 , H01L 21/316 , H01L 21/768

FI (3)：

H01L 21/95 , H01L 21/316 X , H01L 21/90 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-003932
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-274137 Applicant：日本電気株式会社
絶縁膜の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-078762 Applicant：川崎製鉄株式会社

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