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J-GLOBAL ID：200903045453399043

GaN系の半導体素子

Inventor： 柴田 直樹
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999065880
Publication number (International publication number)：2000261035
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 22, 2000
Summary：

【要約】【目的】 結晶性の高いInGaN層を有する新規な構成のGaN系の半導体素子を提供することを目的とする。【構成】 InGaN層を同じ組成の下地層の上に形成する。下地層の組成を連続的又は段階的に変化させてもよい。

Claim (excerpt)：

基板と、バッファ層と、In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)からなる第1の層と、In<SB>Y</SB>Ga<SB>1-Y</SB>N(0<Y<1、Y≠X)からなる第2の層と、が順次積層された構造を備えてなるGaN系の半導体素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 A

F-Term (8)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA60 ,  5F041CA65