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J-GLOBAL ID：200903045455260018

光起電力装置

Inventor： 丸山 英治 ,  山本 武志
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000090563
Publication number (International publication number)：2001284611
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、安価で高い変換効率を有する光起電力装置を得ることを目的とする。【解決手段】 表面にエッチングにより凹凸が形成された透明導電膜2上に内部に半導体接合を有する非晶質薄膜半導体層と裏面金属膜とがこの順序で形成された光起電力装置であって、透明導電膜2は、前記半導体層と接する側から第1透明導電膜層21とエッチングストッパとなる薄膜金属層22と第2透明導電膜層23との多層構造で形成されている。エッチングが薄膜金属層22により停止することを利用して最表面の第1透明導電膜21の膜厚により深さ方向の凹凸の大きさが制御される。

Claim (excerpt)：

表面にエッチングにより凹凸が形成された透明導電膜上に内部に半導体接合を有する非晶質薄膜半導体層と裏面金属膜とがこの順序で形成された光起電力装置であって、前記透明導電膜は、前記半導体層と接する側から透明導電膜層とエッチングストッパとなる薄膜金属層と透明導電膜層との多層構造で形成されていることを特徴とする光起電力装置。

F-Term (6)：

5F051AA09 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051GA03