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J-GLOBAL ID：200903045456175049

半導体発光モジュール

Inventor： 加藤 隆志
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 越場 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998200213
Publication number (International publication number)：2000031602
Application date： Jul. 15, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】ファイバ・グレーティングを用いたレーザ共振器を備えた半導体発光モジュールにおいて、温度変化に起因する特性変動を低減させる。【解決手段】出射光路上の一方の端面に高反射率膜を備えて基台1上に実装された発光素子3と、端部近傍に回折格子を備えた出射ポートを兼ねる光ファイバ5とを一体に備え、高反射膜と回折格子とがレーザ共振器を形成するように構成された半導体光増幅器を備えた半導体発光モジュールであって、発光素子3および光ファイバ5を支持並びに結合する部材のうちの少なくともひとつが熱膨張または熱収縮により高反射率膜と回折格子の間の間隔を変化させ、温度変化による発光素子の屈折率の変化に起因するレーザ共振器の実効的な光路長の変化を相殺するように構成されている。

Claim (excerpt)：

基台上に実装され一方の端面を反射鏡とする発光素子と、端部近傍に回折格子を備えた光ファイバとを備え、該反射鏡と該回折格子がレーザ共振器を形成するように構成された半導体光増幅器を備えた半導体発光モジュールであって;該発光素子および該光ファイバを支持並びに結合する部材のうちの少なくともひとつが、熱膨張または熱収縮により該反射鏡と該回折格子の間隔を変化させ、温度変化に起因する該レーザ共振器の実効的な光路長の変化を相殺するように構成されていることを特徴とする半導体発光モジュール。

IPC (4)：

H01S 5/30 ,  G02B 6/26 ,  G02B 6/34 ,  G02B 6/42

FI (4)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/26 ,  G02B 6/34 ,  G02B 6/42

F-Term (18)：

2H037BA02 ,  2H037BA25 ,  2H037BA35 ,  2H037CA01 ,  2H037DA03 ,  2H037DA04 ,  2H037DA17 ,  2H037DA35 ,  2H037DA38 ,  5F073AA62 ,  5F073AB21 ,  5F073AB28 ,  5F073EA15 ,  5F073FA07 ,  5F073FA11 ,  5F073FA25 ,  5F073GA12 ,  5F073GA23