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J-GLOBAL ID：200903045470031530

3次元微細構造体作製方法および作製装置

Inventor：
岩崎 浩二

About 岩崎 浩二


Applicant, Patent owner：
セイコーインスツルメンツ株式会社

About セイコーインスツルメンツ株式会社


Agent (1)： 松下 義治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003060883
Publication number (International publication number)：2004209626
Application date： Mar. 07, 2003
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：
【課題】本発明の課題は、加工を実行する際の諸条件に応じて変化するエッチング及びデポジション現象の影響を軽減し、設計形状に近い微細3次元構造体形成を実現する集束荷電粒子ビーム加工法並びにそれを実施する集束荷電粒子ビーム装置を提供することにある。【解決手段】本発明の3次元微細構造作製方法は、荷電粒子の加速電圧、ビーム電流、走査速度、ドット間隔値及びドット待ち時間の加工条件を制御下において、3次元構造体の設計3次元形状データを基に仮加工を行って試作構造体を作り、該試作構造体の形状と前記設計形状との比較を行ない、その差を修正するように前記加工条件を補正しつつ本加工を行うようにしたものである。そして、3次元構造体の設計3次元形状データはCADデータを用い、微分によって複数の2次元形状データを求め、該複数の2次元形状データに基いて荷電粒子ビームの照射位置を制御して加工を実行する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
荷電粒子ビームについての加工条件を制御下において、3次元構造体の設計3次元形状データを基に仮加工を行って試作構造体を作り、該試作構造体の形状と前記設計形状との比較を行ない、その差を修正するように前記加工条件を補正しつつ本加工を行うようにした3次元微細構造体作製方法。
IPC (2)：
B81C5/00 ,  C23C16/48
FI (2)：
B81C5/00 ,  C23C16/48
F-Term (8)：
4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030FA12 ,  4K030JA02 ,  4K030JA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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