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J-GLOBAL ID：200903045473054980

半導体レーザ装置とその製造方法

Inventor： 穴山 親志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993304514
Publication number (International publication number)：1995162077
Application date： Dec. 06, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、半導体発光装置、特に短波長帯のレーザ素子のレーザ出力の端面破壊レベル低減化に関し、元の結晶の端面付近の組成を変化させた場合に、格子不整合に起因する転位がレーザ端面から入らない方法を提案する。【構成】 レーザ1がAlGaInPまたはGaInPからなるクラッド層3と、砒素組成の小さなGaInAsPからなる活性層4とで構成され、且つ、レーザ1の片側または両側の端面1aが、砒素組成の小さなGaInAsPまたはGaInPからなるこのクラッド層3で構成される。

Claim (excerpt)：

AlGaInPまたはGaInPからなるクラッド層(3) と、GaInAsPからなる活性層(4) と、レーザ(1) の片側、または両側の端面(1a)が、GaInAsP又はGaInPからなることを特徴とする半導体レーザ装置。