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J-GLOBAL ID：200903045480639765

有機半導体装置

Inventor： 原田 篤 ,  上川 武富 ,  小口 宣雄 ,  小山 智子 ,  金子 丈夫
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 井上 一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002049466
Publication number (International publication number)：2003249658
Application date： Feb. 26, 2002
Publication date： Sep. 05, 2003
Summary：

【要約】【課題】 有機半導体層を用いた新規な有機半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明の有機半導体装置100は、有機半導体層80と、ドレイン電極30aおよびソース電極30bと、有機半導体層80に対して第1ゲート絶縁層60aを介して配置された第1ゲート電極40aと、有機半導体層80に対して第2ゲート絶縁層60bを介して配置された第2ゲート電極40bとを含む。第1ゲート電極40aおよび第2ゲート電極40bの少なくとも一方がテーパ形状部を有する。

Claim (excerpt)：

有機半導体層と、ドレイン電極およびソース電極と、前記有機半導体層に対して第1ゲート絶縁層を介して配置された第1ゲート電極と、前記有機半導体層に対して第2ゲート絶縁層を介して配置された第2ゲート電極と、を含み、前記第1ゲート電極および第2ゲート電極の少なくとも一方が、テーパ形状部を有する、有機半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/786 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (10)：

G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 617 N ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/78 618 C

F-Term (65)：

3K007BA00 ,  3K007CB01 ,  3K007CB03 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007GA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104FF01 ,  4M104FF08 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  5C094AA07 ,  5C094AA13 ,  5C094AA24 ,  5C094AA43 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094CA19 ,  5C094CA25 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110BB01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG22 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23