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J-GLOBAL ID：200903045492202605

イオン交換膜とその製造方法

Inventor： 上岡 勇夫 ,  松田 愛子 ,  山内 雅晃
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 上代 哲司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046079
Publication number (International publication number)：2001233974
Application date： Feb. 23, 2000
Publication date： Aug. 28, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 パーフルオロカーボン系イオン交換膜と同等の耐化学安定性を持ち、100°C以上の高温雰囲気でも使用可能な耐熱性を持ったイオン交換膜を容易に低コストで作製する。【解決手段】 イミド結合を有する耐熱性高分子を薄膜にした後、スルホン化剤に浸漬し、スルホン化した事を特徴とするイオン交換膜、及びその製造法。該耐熱性高分がビフェニルテトラカルボン酸とフェニレン-ジアミンを原料とするポリイミドであるイオン交換膜、又はトリメサット酸又はその無水物と、ジアミノフェニルエーテル又はジアミノフェニルメタン又はジアミノフェニルメタンジイソシアネートより合成されるポリアミドイミドである交換膜である事を特徴とする。

Claim (excerpt)：

イミド結合を有する耐熱性高分子をフィルム化した後に、これをスルホン化剤に浸漬し、スルホン化したことを特徴とするイオン交換膜。

IPC (7)：

C08J 5/22 CFG ,  C08J 5/22 101 ,  C08G 73/10 ,  C08G 73/14 ,  H01M 8/02 ,  H01M 10/40 ,  C08L 79:08

FI (7)：

C08J 5/22 CFG ,  C08J 5/22 101 ,  C08G 73/10 ,  C08G 73/14 ,  H01M 8/02 P ,  H01M 10/40 B ,  C08L 79:08

F-Term (43)：

4F071AA60 ,  4F071AA60C ,  4F071AB23 ,  4F071AG01 ,  4F071AH15 ,  4F071FA05 ,  4F071FB01 ,  4F071FC01 ,  4J043PA01 ,  4J043QB15 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043QB32 ,  4J043RA05 ,  4J043RA35 ,  4J043SA06 ,  4J043SB01 ,  4J043SB02 ,  4J043TA13 ,  4J043TA14 ,  4J043TA21 ,  4J043TB01 ,  4J043UA121 ,  4J043UA131 ,  4J043UA132 ,  4J043UB011 ,  4J043UB121 ,  4J043YB05 ,  4J043YB13 ,  4J043ZA06 ,  4J043ZA11 ,  4J043ZB14 ,  4J043ZB47 ,  5H026AA06 ,  5H026BB03 ,  5H026CX05 ,  5H026EE18 ,  5H029AJ01 ,  5H029AJ06 ,  5H029AJ14 ,  5H029AM16 ,  5H029CJ13 ,  5H029EJ12