MRAM装置およびMRAM装置への書き込み方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上野英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000235407
Publication number (International publication number)：2001084757
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】MRAM装置のメモリセルのスイッチングの再現性または信頼性をスイッチング電流を増加させることなく改善することのできる方法および装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施例によれば、書き込み動作中、磁界バイアスがMRAM装置のメモリセルに印加される。磁界バイアスは永久磁石または電磁石によって印加することができ、磁界バイアスにより、メモリセルのスイッチングの再現性を改善することができる。

Claim (excerpt)：

MRAM装置において、第1および第2のトレースが交差する位置にある選択されたメモリセルへの書き込み方法であって、前記選択されたメモリセルに第1の磁界を印加するステップと、前記第1および第2のトレースに電流を供給して第2および第3の直交磁界を生成するステップと、を備えて成り、前記第1、第2、および第3の磁界は合成されて、前記選択されたメモリセルをスイッチングさせ、前記第1の磁界は、前記第2の磁界と同じ極性および同じ向きを有しており、これにより、前記第1の磁界の印加が、前記選択されたメモリセルのスイッチングの再現性を改善することを特徴とする方法。

IPC (3)：

G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (3)：

G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

反転用の中心核形成を備えた細長い磁気RAMセル
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-024003 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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