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J-GLOBAL ID:200903045510607448
発光デバイス
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999140758
Publication number (International publication number):2000030868
Application date: May. 20, 1999
Publication date: Jan. 28, 2000
Summary:
【要約】【課題】 有機ELデバイスにおける逆バイアス特性を向上させ、それによりクロストークの問題を解決する。【解決手段】 発光デバイスは、電子輸送層、正孔輸送層、アノード、およびカソードを含み、(a)カソードと電子輸送層との間に配置され、電子輸送層のイオン化ポテンシャルよりも大きな規模のイオン化ポテンシャルを有する正孔ブロック層と、(b)アノードと正孔輸送層との間に配置され、正孔輸送層の電子親和力よりも大きな規模の電子親和力を有する電子ブロック層とのいずれかまたは両方を更に含む。
Claim (excerpt):
電子輸送層、正孔輸送層、アノード、およびカソードを含む発光デバイスであって、該デバイスは、(a)該カソードと該電子輸送層との間に配置され、該電子輸送層のイオン化ポテンシャルよりも大きな規模のイオン化ポテンシャルを有する正孔ブロック層と、(b)該アノードと該正孔輸送層との間に配置され、該正孔輸送層の電子親和力よりも小さな規模の電子親和力を有する電子ブロック層と、のいずれかまたは両方を更に含む発光デバイス。
IPC (6):
H05B 33/22
, G09F 9/30
, H01L 33/00
, H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/26
FI (7):
H05B 33/22 A
, H05B 33/22 C
, G09F 9/30 C
, H01L 33/00 A
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05B 33/26 Z
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