Pat
J-GLOBAL ID：200903045511582724

受光素子

Inventor：
笹川 幸宏

About 笹川 幸宏


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 松村 博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995147722
Publication number (International publication number)：1997008342
Application date： Jun. 14, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：
【要約】【目的】 ドーピング超格子構造の半導体よりなる受光素子におけるドーピング層のバンド構造が全体的に傾斜し、実効的なバンドギャップを複数個持つようにした高効率の受光素子を提供する。【構成】 ドーピング超格子構造の半導体よりなる受光素子であって、基本材料に対してアクセプタ元素を添加した前記超格子を構成する複数のドーピングp層(2〜6)の不純物濃度を段階的に変化させた。
Claim (excerpt)：
電子の量子力学的性質が現れる厚さでpn周期構造を形成し、かつ単一基本材料で構成されたドーピング超格子構造の半導体よりなる受光素子であって、基本材料に対してアクセプタ元素あるいはドナー元素を添加した前記超格子を構成する複数のドーピングp層あるいはドーピングn層の少なくともどちらか一方の層の不純物濃度を段階的に変化させたことを特徴とする受光素子。
IPC (4)：
H01L 31/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/04
FI (5)：
H01L 31/10 A ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/06 ,  H01L 31/04 L ,  H01L 31/04 E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 特開昭63-040382
  • 特開平3-129883
  • 電子装置及びその動作方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-100674   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
Show all
Cited by examiner (3)
  • 特開平3-129883
  • 電子装置及びその動作方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-100674   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特開昭63-040382

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM