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J-GLOBAL ID：200903045516518927

面発光型レーザ素子

Inventor： 知野 豊治 ,  松田 賢一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991318975
Publication number (International publication number)：1993160501
Application date： Dec. 03, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】 面発光型レーザ素子において、低抵抗でキャリヤを活性領域に注入する。【構成】 ドライエッチングでダメージの入った半導体多層膜よりなるブラッグ反射器側面を酸化剤を用いて酸化し、反射器と酸化層の界面111に導電性を有する層を形成する。あるいは、発光層のp+クラッドとnクラッドに電極を形成すると同時に活性層とnクラッドに高抵抗層を設け、キャリヤを閉じ込める。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に被着された半導体多層膜よりなるブラッグ反射器でn型導電性を持つn型反射器と、前記n型反射器上に被着されたnクラッド層と、前記nクラッド層上に被着された活性層と、前記活性層上に被着されたpクラッド層と、前記pクラッド層上に被着された化合物半導体多層膜よりなるブラッグ反射器でp型導電性を持つp型反射器と、前記p型反射器の側面に形成された前記p型反射器を構成する化合物半導体のストイキオメトリーのずれた層が酸化されたリーク層と、前記p型反射器上に被着されたアノードとを備えたことを特徴とする面発光型レーザ素子。