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J-GLOBAL ID：200903045520251013

露光マスク及びパターン形成方法

Inventor： 井上 淳 ,  加藤 真也
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992176862
Publication number (International publication number)：1994019118
Application date： Jul. 03, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】TFTアクティブマトリクスLCDなどにおいて、TFTをマトリクス状に接続するためのバスラインのパターニングに用いられる露光マスク及びパターン形成方法に関し、異物の付着などにより部分的に膜厚が厚くなった領域の透光領域の感光性膜を確実に除去するとともに、正常な膜厚の領域の感光性膜から形成される感光性マスクの線幅を確保することが可能な露光マスク及びパターン形成方法の提供を目的とする。【構成】透明基板11上にマスクパターン12a〜12cが設けられて成る露光マスクにおいて、マスクパターン12a〜12cは、遮光領域10aと該遮光領域10aの周辺部に隣接する半透光領域10bとを有することを含み構成する。

Claim (excerpt)：

透明基板(11)上にマスクパターン(12a〜12c)が設けられて成る露光用マスクにおいて、前記マスクパターン(12a〜12c)は、遮光領域(10a)と該遮光領域(10a)の周辺部に隣接し、零を越え、100%未満の透過率を有する半透光領域(10b)とを有することを特徴とする露光マスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027