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J-GLOBAL ID：200903045533242587

半導体装置、インバータ装置、および半導体装置の製造方法

Inventor： 八幡 光一 ,  山村 博久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 春日 讓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996120541
Publication number (International publication number)：1997307040
Application date： May. 15, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体素子から発生する熱を冷却液により逃がすに際し、冷却液の流速を上げることなく所望の冷却性能を達成することができ、電気絶縁性に優れた半導体装置、その製造方法、インバータ装置を提供する。【解決手段】絶縁基板としての窒化アルミ板4の両面に導電体層3,5が形成され、窒化アルミ板4の導電体層3側には高温半田層2を介して半導体チップ1が、窒化アルミ板4の導電体層5側には低温半田層6を介して放熱用銅基板7が接合されている。放熱用銅基板7にはひれ状のフィン7aが設けられ、放熱用銅基板7の下部にはその放熱用銅基板7とは別体の流路形成用銅基板9が接合金属8によって接合され、放熱用銅基板7と流路形成用銅基板9とによって冷却液通路100が形成されている。

Claim (excerpt)：

運転時の通電により発熱を伴う半導体チップと、前記半導体チップを載置すると共にその半導体チップを他の導電部分から絶縁する絶縁基板と、前記絶縁基板を載置し前記半導体チップより発せられる熱を前記半導体チップの反対側へ逃がす放熱用基板とを有する半導体装置において、前記放熱用基板に、その放熱用基板とは別体の流路形成用基板を取り付け、前記放熱用基板と前記流路形成用基板との間に冷却液通路を形成したことを特徴とする半導体装置。