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J-GLOBAL ID：200903045556870755

層間絶縁膜の形成方法および多層配線デバイス

Inventor： 石田 守 ,  上野 嘉一
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991244376
Publication number (International publication number)：1993055391
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 LSIの高集積化に対応できる信頼性の高い多層配線を得ることが可能である。【構成】 SOG膜+エッチバックを基本工程とする平坦化プロセスを層間絶縁膜の形成に用いる際、SOG膜の形成についてはこれを複数回繰返して多層SOG膜を形成し、しかる後にエッチバックを行う。多層SOG膜の形成は、具体的には、配線パターン31上にCVD膜32を形成後、CVD膜32上に第1層目のSOG33を塗布し、次いで、第2層目のSOG34を塗布し、次いで第3層目のSOG35を塗布してなされ、この場合には、配線パターン31の配線パターン間隔Wが狭くても、第3層目のSOG35を形成した時点で平坦性が確保でき、また、配線パターン31の配線パターン間隔Wが広い場合でも、第3層目のSOG35を形成した時点で平坦性が確保できる。

Claim (excerpt)：

SOG膜を形成し、しかる後にエッチバックを施す工程を用いる層間絶縁膜の形成方法において、前記SOG膜を多層のものとして形成するようになっていることを特徴とする層間絶縁膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/316