Pat

J-GLOBAL ID：200903045573057464

多結晶Si薄膜の形成方法、多結晶Si薄膜及び光起電力素子

Inventor： 石原 俊一
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001067884
Publication number (International publication number)：2002270521
Application date： Mar. 09, 2001
Publication date： Sep. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明の目的は、大粒径の多結晶シリコン薄膜を提供することである。【解決手段】多結晶薄膜Si堆積法において、少なくとも?@下地となる多結晶Si薄膜を基板上に堆積する工程と?A該多結晶Si薄膜表面に金属酸化膜を形成する工程と?B該金属酸化膜を部分的に還元する工程と?C還元された金属を多結晶Si粒界に移動せしめ、多結晶Siを露出させる工程と?D多結晶Siが露出した部分を核として結晶Siを成長させる工程とを含むことを特徴とする

Claim (excerpt)：

多結晶薄膜Si堆積法において、少なくとも?@下地となる多結晶Si薄膜を基板上に堆積する工程と?A多結晶Si薄膜表面に金属酸化膜を形成する工程と?B該金属酸化膜を部分的に還元する工程と?C還元された金属を多結晶Si粒界に移動せしめ、多結晶Siを露出させる工程と?D多結晶Siが露出した部分を核として結晶Siを成長させる工程とを含むことを特徴とする多結晶Si薄膜堆積法。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/20 ,  H01L 31/04 X

F-Term (51)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB18 ,  5F045CA13 ,  5F045DB02 ,  5F045DP04 ,  5F045EH04 ,  5F045GB06 ,  5F045HA16 ,  5F045HA24 ,  5F045HA25 ,  5F051AA03 ,  5F051CB04 ,  5F051CB15 ,  5F051CB29 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052DA02 ,  5F052DB01 ,  5F052DB03 ,  5F052EA11 ,  5F052EA13 ,  5F052GA02 ,  5F052JA09 ,  5F052KA05