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J-GLOBAL ID：200903045588856703
フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び、半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999371157
Publication number (International publication number)：2000206682
Application date： Dec. 27, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 フォトレジスト共重合体の合成収率を増大させて合成単価を節減し、大量生産を可能にするフォトレジスト架橋剤を提供する。【解決手段】下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト架橋剤である。【化1】(前記式で、Vは、CH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、Yは、炭素数1-12の直鎖又は側鎖アルキル、酸素又は炭素数1-12の直鎖又は側鎖エーテルであり、R′及びR′′は、それぞれH又はCH3であり、iは、1〜5のいずれかの整数であり、nは、0〜3のいずれかの整数である。)
Claim (excerpt)：
下記式(1)で示される化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤。【化1】(前記式で、Vは、CH2、CH2CH2、酸素又は硫黄であり、Yは、炭素数1-12の直鎖又は側鎖アルキル、酸素又は炭素数1-12の直鎖又は側鎖エーテルであり、R′及びR′′は、それぞれH又はCH3であり、iは、1〜5のいずれかの整数であり、nは、0〜3のいずれかの整数である。)
IPC (7)：
G03F 7/004 501
, C08F220/16
, C08F222/06
, C08F232/04
, G03F 7/039 501
, C07C 69/753
, C08F290/02
G03F 7/004 501
, C08F220/16
, C08F222/06
, C08F232/04
, G03F 7/039 501
, C07C 69/753 C
, C08F290/02
Cited by examiner (9)
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