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J-GLOBAL ID：200903045604703858

薄膜トランジスタ

Inventor：
李 育舟

About 李 育舟

, 
鄭 ▲そう▼▲き▼

About 鄭 ▲そう▼▲き▼


Applicant, Patent owner：
中華映管股▲ふん▼有限公司

About 中華映管股▲ふん▼有限公司


Agent (5)： 竹本 松司 ,  杉山 秀雄 ,  湯田 浩一 ,  魚住 高博 ,  手島 直彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003280219
Publication number (International publication number)：2004104101
Application date： Jul. 25, 2003
Publication date： Apr. 02, 2004
Summary：
【課題】 薄膜トランジスタのソース/ドレイン構造と形成方法の提供。【解決手段】 薄膜トランジスタのソース/ドレイン構造は、サンドイッチ構造を使用してソース/ドレインの抵抗を減らし信頼性を高める。該サンドイッチ構造は好ましくは、AlNdN合金/AlNd合金/AlNdN合金の構造を有する。AlNdN合金はバッファ層或いはAlNd合金とアモルファスシリコン層の相互拡散を防止する拡散バリアとされる。もう一つのAlNdN合金は接着層とされると共に、AlNd合金を過度のエッチングより保護する。このもう一つのAlNdN合金はまたAlNd合金と続いて形成されるITOの接触と干渉を防止する。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
薄膜トランジスタにおいて、 透明絶縁基板と、 該透明絶縁基板の上に形成された導体ゲートと、 該導体ゲートを被覆する誘電層と、 該誘電層の上に位置する第1半導体層と、 該第1半導体層の上に位置して薄膜トランジスタのチャネルとされる第2半導体層と、 該第2半導体層の上に位置する第1導体層と、 該第1導体層の上に位置する第2導体層と、 該第2導体層の上に位置する第3導体層と、 を具え、該第2半導体層、第1導体層、該第2導体層、該第3導体層が開口を具えて該第1半導体層を露出させ、該第2導体層が薄膜トランジスタのソース/ドレインとされることを特徴とする、薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417
FI (4)：
H01L29/78 616U ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/50 M
F-Term (31)：
4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD42 ,  4M104DD63 ,  4M104GG08 ,  4M104HH16 ,  4M104HH20 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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