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J-GLOBAL ID：200903045610019373

半導体装置の製造方法

Inventor： 菅原 岳 ,  青井 信雄 ,  真弓 周一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996020857
Publication number (International publication number)：1997213797
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 低誘電率の層間絶縁膜を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に配線2及び配線2を覆うシリコン酸化膜3を形成し、その後、配線2及びシリコン酸化膜3の形成された基板1上に湿潤ゲル膜7を形成し、さらに湿潤ゲル膜7を超臨界乾燥法により乾燥して多孔質膜を形成し、多孔質膜の上にCVD法により絶縁膜を形成するとともに第2の配線6を形成する。

Claim (excerpt)：

配線の形成された基板上に湿潤ゲル膜を形成する工程と、前記湿潤ゲル膜を超臨界乾燥法により乾燥して多孔質膜を形成する工程と、上記多孔質膜の上にCVD法により絶縁膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (4)：

H01L 21/90 V ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/95