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J-GLOBAL ID：200903045611905121

磁気記憶装置およびその製造方法

Inventor： 小室 善昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002009514
Publication number (International publication number)：2003218324
Application date： Jan. 18, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果を利用して情報を記憶する情報記憶装置に搭載される複数のTMR素子のトンネル絶縁層への局所的な電界の集中を回避してTMR素子の性能の向上と安定化を図る。【解決手段】 第1強磁性体層(磁化固定層302)とトンネル絶縁層303と第2強磁性体層(記憶層304)とからなる積層構造を有する磁気記憶素子(TMR素子13)を備えた磁気記憶装置1において、トンネル絶縁層303は、鏡面に形成された第1強磁性体層(第2磁化固定層308)表面に形成されているものであり、またTMR素子13内に配置される反強磁性体層305の第1強磁性体層(磁化固定層302)が形成される表面が鏡面に形成されていてもよい。

Claim (excerpt)：

第1強磁性体層とトンネル絶縁層と第2強磁性体層とからなる積層構造を有する磁気記憶素子を備えた磁気記憶装置において、前記トンネル絶縁層は、鏡面に形成された前記第1強磁性体層表面に形成されていることを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (6)：

H01L 27/105 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447

F-Term (21)：

5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034DA07 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA19 ,  5F083JA06 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR22 ,  5F083PR40