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J-GLOBAL ID：200903045618783447
半導体ファイル装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992274740
Publication number (International publication number)：1994131885
Application date： Oct. 14, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明はコントローラにエラー訂正の負荷をかけることなく、フラッシュ型EEPROMの使用効率を著しく高めることを目的としてる。【構成】 本発明において、ベリファイ回路23はR/W制御回路22を介して書き込みデータのベリファイを1ビットづつ行いながら、前記データを半導体メモリチップ1のデータ書込領域イに書き込む。この際、ベリファイエラーが生じると、エラーを起こしたデータのアドレスをCPU21に知らせた後、次のビットのベリファイに移行する。CPU21は1ページ分のベリファイエラーを生じたアドレス情報がたまると、これをR/W制御回路22を介して半導体メモリチップ1内の冗長領域ロに書き込む。CPU21は前記データ書込領域イからデータを読み出す際に、冗長領域ロに書き込まれているアドレスのデータをデータ再生回路25により“0”に置き換えて読み出し、これをシステム側に出力する。
Claim (excerpt)：
メモリとしてフラッシュ型EEPROMを備え、このフラッシュ型EEPROMにコントローラによりデータをベリファイしながら書き込む半導体ファイル装置において、前記フラッシュ型EEPROMにデータを書き込む領域の他に、このデータを書き込む際に発生したベリファイエラーに係わるエラー情報を書き込む冗長領域を具備し、且つ、前記コントローラ側に、前記フラッシュ型EEPROMに書き込むデータのベリファイを行うベリファイ手段と、このベリファイ手段のベリファイ結果がエラーとなったデータの前記フラッシュ型EEPROM内の書込先アドレスを検出するアドレス検出手段と、このアドレス検出手段によって検出されたアドレスをエラー訂正情報として前記フラッシュ型EEPROMの前記冗長領域にベリファイしながら書き込むエラー情報書込手段と、前記フラッシュ型EEPROMからデータを読み出す際に、前記冗長領域に書き込まれているエラー訂正情報に基づいてエラーを起こしたアドレスのデータを“0”に書き替えるエラー訂正手段とを具備したことを特徴とする半導体ファイル装置。
IPC (3)：
G11C 16/06
, G06F 12/16 310
, G11C 29/00
