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J-GLOBAL ID：200903045626444970
チタニウムシリサイドコンタクト製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
笹島 富二雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993136010
Publication number (International publication number)：1994053168
Application date： Jun. 07, 1993
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ソース及びドレイン構造の高濃度化を図るとともに、TiSi2形成時の剥げ現象を防ぐ。【構成】 既存のマスクを用い、Tiスパッタリング工程直前にソース及びドレイン不純物形態と反対型のイオン注入工程を追加する。
Claim (excerpt)：
高濃度ソース及びドレイン領域(10)にコンタクトする金属との間のコンタクト抵抗特性、及び遅延特性を高めるために実施するチタニウムシリサイドコンタクト製造方法において、ソース及びドレイン領域(10)を形成した後、全面にわたって絶縁膜(11)を蒸着して、前記ソース及びドレイン領域(10)の一部を露出させるコンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程と、前記形成されたコンタクトホールによって露出した高濃度活性領域である前記ソース及びドレイン領域(10)の表面に、低濃度化させる不純物イオンを注入するイオン注入工程と、前記不純物イオンがイオン注入された部位にチタニウム膜(12)を蒸着するチタニウム膜蒸着工程と、前記チタニウム膜(12)を熱処理して、チタニウムシリサイド部(16)を形成し、形成されたチタニウムシリサイド部(16)上に金属(14)コンタクトを形成する金属コンタクト形成工程と、を含んでなることを特徴とするチタニウムシリサイドコンタクト製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/90
